Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI80N06S4L07AKSA2
IPI80N06S4L07AKSA2

IPI80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPI80N06S4L07AKSA2 за ціною від 69.65 грн до 170.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPI80N06S4L07AKSA2 IPI80N06S4L07AKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80N06S4L_07_DS_v01_00_en-1227111.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.39 грн
10+151.92 грн
100+105.68 грн
500+88.07 грн
1000+71.78 грн
2500+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2 IPI80N06S4L07AKSA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4l-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2 IPI80N06S4L07AKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.