Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI90N06S4L04AKSA2
IPI90N06S4L04AKSA2

IPI90N06S4L04AKSA2 Infineon Technologies

Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 36830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
208+96.7 грн
Мінімальне замовлення: 208
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI90N06S4L04AKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPI90N06S4L04AKSA2 за ціною від 108.82 грн до 233.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI90N06S4L04AKSA2 IPI90N06S4L04AKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_I90N06S4L_04_DS_v01_00_en-1731444.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.66 грн
10+ 207.29 грн
100+ 147.54 грн
500+ 123.51 грн
1000+ 115.5 грн
2500+ 109.49 грн
5000+ 108.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI90N06S4L04AKSA2 IPI90N06S4L04AKSA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i90n06s4l-04_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IPI90N06S4L04AKSA2 IPI90N06S4L04AKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товар відсутній