Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R065C7AUMA1
IPL60R065C7AUMA1

IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPL60R065C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b090ab7b75cd
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+255.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPL60R065C7AUMA1 за ціною від 266.55 грн до 632.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r065c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.97 грн
10+352.84 грн
25+349.27 грн
50+333.44 грн
100+305.45 грн
250+290.34 грн
500+287.43 грн
1000+273.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl60r065c7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+429.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R065C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b090ab7b75cd Description: MOSFET HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.18 грн
10+414.69 грн
50+331.47 грн
100+285.97 грн
500+266.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R065C7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 INFINEON 2712214.pdf Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 IPL60R065C7AUMA1 INFINEON 2712214.pdf Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 infineonipl60r065c7dsv0201en.pdf
IPL60R065C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+375.97 грн
10+352.84 грн
25+349.27 грн
50+333.44 грн
100+305.45 грн
250+290.34 грн
500+287.43 грн
1000+273.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 infineonipl60r065c7dsv0201en.pdf
IPL60R065C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+429.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 Infineon-IPL60R065C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b090ab7b75cd
IPL60R065C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+632.18 грн
10+414.69 грн
50+331.47 грн
100+285.97 грн
500+266.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 Infineon_IPL60R065C7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL60R065C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 2712214.pdf
IPL60R065C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065C7AUMA1 2712214.pdf
IPL60R065C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R065C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.056 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.