Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R065P7AUMA1
IPL60R065P7AUMA1

IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+185.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPL60R065P7AUMA1 за ціною від 212.86 грн до 729.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+322.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+322.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+378.34 грн
100+359.48 грн
500+340.62 грн
1000+310.27 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.90 грн
10+297.94 грн
100+218.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R065P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.23 грн
10+370.42 грн
100+235.41 грн
500+226.95 грн
1000+212.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+585.08 грн
36+395.31 грн
100+315.09 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003685283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+729.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003685283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+322.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+322.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
94+378.34 грн
100+359.48 грн
500+340.62 грн
1000+310.27 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+459.90 грн
10+297.94 грн
100+218.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 Infineon_IPL60R065P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+554.23 грн
10+370.42 грн
100+235.41 грн
500+226.95 грн
1000+212.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 infineon-ipl60r065p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+585.08 грн
36+395.31 грн
100+315.09 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 INFN-S-A0003685283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+729.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 INFN-S-A0003685283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R065P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.065 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.