IPL60R075CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
Case: PG-VSON-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL60R075CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21A, On-state resistance: 0.149Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 189W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 67nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Technology: OptiMOS™, Case: PG-VSON-4, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPL60R075CFD7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R075CFD7 | Виробник : Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPL60R075CFD7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A On-state resistance: 0.149Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 189W Polarisation: unipolar Gate charge: 67nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: OptiMOS™ Case: PG-VSON-4 |
товару немає в наявності |