IPL60R075CFD7AUMA1

IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPL60R075CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3aa6a5731ad Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+181.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R075CFD7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPL60R075CFD7AUMA1 за ціною від 163.74 грн до 559.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Виробник : INFINEON 2372024.pdf Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+267.39 грн
500+194.65 грн
1000+171.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Виробник : INFINEON 2372024.pdf Description: INFINEON - IPL60R075CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.066 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+410.17 грн
10+346.62 грн
100+267.39 грн
500+194.65 грн
1000+171.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL60R075CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ea3aa6a5731ad Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.04 грн
10+289.60 грн
100+208.91 грн
500+163.76 грн
1000+163.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL60R075CFD7_DS_v02_01_EN-3164751.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.61 грн
10+451.78 грн
25+361.96 грн
100+320.76 грн
250+301.63 грн
500+283.24 грн
1000+244.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies 196897900712994infineon-ipl60r075cfd7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625e763904015e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.