Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R085P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1

IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_01-EN-1275099.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.01 грн
10+529.92 грн
100+374.44 грн
500+325.82 грн
1000+306.96 грн
3000+306.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R085P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.073 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 154W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPL60R085P7AUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPL60R085P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1 Виробник : INFINEON 2576634.pdf Description: INFINEON - IPL60R085P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.073 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 154W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R085P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f Description: MOSFET N-CH 650V 39A 4VSON
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R085P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1 Виробник : INFINEON 2576634.pdf Description: INFINEON - IPL60R085P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.073 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 154W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R085P7AUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f IPL60R085P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R085P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f Description: MOSFET N-CH 650V 39A 4VSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.