Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R095CFD7AUMA1
IPL60R095CFD7AUMA1

IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+121.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPL60R095CFD7AUMA1 за ціною від 134.82 грн до 474.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53 Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.29 грн
10+212.73 грн
100+151.58 грн
500+134.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN-1391274.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON 2643872.pdf Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 IPL60R095CFD7AUMA1 INFINEON 2643872.pdf Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53 Trans MOSFET N-CH 600V 25A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.48 грн
10+419.78 грн
25+415.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53
IPL60R095CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+333.29 грн
10+212.73 грн
100+151.58 грн
500+134.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN-1391274.pdf
IPL60R095CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 2643872.pdf
IPL60R095CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 2643872.pdf
IPL60R095CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.076 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R095CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633f96542e4f53
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+474.48 грн
10+419.78 грн
25+415.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.