Технічний опис IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 122W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm.
Інші пропозиції IPL60R104C7AUMA1 за ціною від 220.56 грн до 580.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 122W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 122W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 122W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm |
на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 122W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm |
на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 122+ | 289.94 грн |
| 500+ | 274.62 грн |
| 1000+ | 259.30 грн |
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 312.11 грн |
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 400.10 грн |
| 5+ | 285.98 грн |
| 10+ | 259.14 грн |
| 25+ | 228.11 грн |
| 50+ | 220.56 грн |
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 405.48 грн |
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 456.96 грн |
| 10+ | 295.50 грн |
| 50+ | 233.39 грн |
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 580.37 грн |
| 10+ | 401.39 грн |
| 100+ | 299.64 грн |
| 500+ | 257.38 грн |
| 1000+ | 234.96 грн |
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPL60R104C7AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.104 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)