Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R105P7
IPL60R105P7

IPL60R105P7 Infineon Technologies

Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R105P7 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21A, Power dissipation: 137W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.105Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 45nC, Version: ESD, Kind of package: reel.

Інші пропозиції IPL60R105P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R105P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.