Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R105P7AUMA1
IPL60R105P7AUMA1

IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipl60r105p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+124.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 137W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Інші пропозиції IPL60R105P7AUMA1 за ціною від 138.08 грн до 449.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.40 грн
10+246.08 грн
25+239.84 грн
100+195.74 грн
250+179.38 грн
500+162.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.40 грн
58+246.08 грн
60+239.84 грн
100+195.74 грн
250+179.38 грн
500+162.08 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.02 грн
10+233.11 грн
100+166.11 грн
500+138.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.39 грн
10+308.41 грн
100+229.36 грн
500+188.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+449.39 грн
46+308.41 грн
100+229.36 грн
500+188.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON 2576635.pdf Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON 2576635.pdf Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+302.40 грн
10+246.08 грн
25+239.84 грн
100+195.74 грн
250+179.38 грн
500+162.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+302.40 грн
58+246.08 грн
60+239.84 грн
100+195.74 грн
250+179.38 грн
500+162.08 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.02 грн
10+233.11 грн
100+166.11 грн
500+138.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+449.39 грн
10+308.41 грн
100+229.36 грн
500+188.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+449.39 грн
46+308.41 грн
100+229.36 грн
500+188.69 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 2576635.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 2576635.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.