Продукція > INFINEON > IPL60R125C7AUMA1
IPL60R125C7AUMA1

IPL60R125C7AUMA1 INFINEON

INFN-S-A0003614919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+192.64 грн
500+138.13 грн
1000+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R125C7AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 103W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції IPL60R125C7AUMA1 за ціною від 118.44 грн до 378.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R125C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b448dc78594a Description: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.04 грн
10+196.55 грн
100+139.43 грн
500+121.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.79 грн
10+247.10 грн
100+192.64 грн
500+138.13 грн
1000+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1 Infineon-IPL60R125C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b448dc78594a
IPL60R125C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.04 грн
10+196.55 грн
100+139.43 грн
500+121.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125C7AUMA1 INFN-S-A0003614919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R125C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+378.79 грн
10+247.10 грн
100+192.64 грн
500+138.13 грн
1000+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.