Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R125P7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1

IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipl60r125p7-ds-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+175.53 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 111W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції IPL60R125P7AUMA1 за ціною від 106.64 грн до 330.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r125p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.48 грн
10+185.94 грн
25+184.05 грн
100+149.84 грн
250+137.31 грн
500+127.21 грн
1000+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r125p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.48 грн
77+184.05 грн
100+149.84 грн
250+137.31 грн
500+127.21 грн
1000+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL60R125P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed2c195b42 Description: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.11 грн
10+191.50 грн
50+148.60 грн
100+126.49 грн
500+106.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r125p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.73 грн
10+232.56 грн
100+175.30 грн
500+142.89 грн
1000+129.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R125P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 7614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003685255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 111W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003685255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 111W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 infineon-ipl60r125p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R125P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+226.48 грн
10+185.94 грн
25+184.05 грн
100+149.84 грн
250+137.31 грн
500+127.21 грн
1000+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 infineon-ipl60r125p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R125P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+226.48 грн
77+184.05 грн
100+149.84 грн
250+137.31 грн
500+127.21 грн
1000+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 Infineon-IPL60R125P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed2c195b42
IPL60R125P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.11 грн
10+191.50 грн
50+148.60 грн
100+126.49 грн
500+106.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 infineon-ipl60r125p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R125P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+330.73 грн
10+232.56 грн
100+175.30 грн
500+142.89 грн
1000+129.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 Infineon_IPL60R125P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL60R125P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 7614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 INFN-S-A0003685255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R125P7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 111W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 INFN-S-A0003685255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R125P7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R125P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 111W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.