IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 160.29 грн |
| 500+ | 152.04 грн |
| 1000+ | 143.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL60R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-VSON-4-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-PowerTSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IPL60R160CFD7AUMA1 за ціною від 291.58 грн до 291.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N CHInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IPL60R160CFD7AUMA1 | Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPL60R160CFD7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 291.58 грн |
| IPL60R160CFD7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPL60R160CFD7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)