IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 147.13 грн |
| 500+ | 138.82 грн |
| 1000+ | 131.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
242 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 77W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm.
Інші пропозиції IPL60R185C7AUMA1 за ціною від 88.49 грн до 317.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2530 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPL60R185C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 77W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IPL60R185C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 77W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPL60R185C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 96+ | 149.32 грн |
| IPL60R185C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.09 грн |
| 10+ | 168.20 грн |
| 100+ | 111.89 грн |
| 500+ | 96.54 грн |
| 1000+ | 92.15 грн |
| 3000+ | 88.49 грн |
| IPL60R185C7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 317.20 грн |
| 10+ | 208.11 грн |
| 25+ | 206.03 грн |
| 50+ | 193.10 грн |
| 100+ | 141.87 грн |
| 250+ | 135.91 грн |
| 500+ | 112.63 грн |
| 1000+ | 112.07 грн |
| IPL60R185C7AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPL60R185C7AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 77W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)