IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 78.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 81W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPL60R185P7AUMA1 за ціною від 76.11 грн до 203.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R185P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPL60R185P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPL60R185P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|