Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R185P7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1

IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipl60r185p7-ds-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.37 грн
10+126.44 грн
100+87.35 грн
500+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 81W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPL60R185P7AUMA1 за ціною від 56.82 грн до 209.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPL60R185P7AUMA1 IPL60R185P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL60R185P7_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.05 грн
10+124.28 грн
100+80.18 грн
500+67.14 грн
1000+65.96 грн
3000+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185P7AUMA1 IPL60R185P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl60r185p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.