IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 14730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.91 грн |
| 10+ | 38.16 грн |
| 100+ | 32.44 грн |
| 500+ | 31.78 грн |
| 1000+ | 31.27 грн |
| 2500+ | 30.83 грн |
| 5000+ | 30.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPL60R1K5C6SATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R1K5C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|
| IPL60R1K5C6SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPL60R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IPL60R1K5C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |