Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R1K5C6SATMA1
IPL60R1K5C6SATMA1

IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies

DS_IPL60R1K5C6S_2_0-1730957.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.22 грн
10+ 35.01 грн
100+ 29.91 грн
500+ 29.71 грн
1000+ 29.51 грн
2500+ 29.24 грн
5000+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPL60R1K5C6SATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPL60R1K5C6SATMA1 IPL60R1K5C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 235ds_ipl60r1k5c6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
товар відсутній
IPL60R1K5C6SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL60R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d637950016b IPL60R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPL60R1K5C6SATMA1 IPL60R1K5C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPL60R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d637950016b Description: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товар відсутній