Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R1K5C6SATMA1

IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies

Name: IPL60R1K5C6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 138635-4
Price: 363.33 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6

на замовлення 14730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	40.37 грн
10+	38.59 грн
100+	32.82 грн
500+	32.15 грн
1000+	31.63 грн
2500+	31.18 грн
5000+	30.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPL60R1K5C6SATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPL60R1K5C6SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPL60R1K5C6SATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.6W кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPL60R1K5C6SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPL60R1K5C6SATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.6W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.