Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R210P6AUMA1
IPL60R210P6AUMA1

IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies

4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+107.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 151W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm.

Інші пропозиції IPL60R210P6AUMA1 за ціною від 83.45 грн до 313.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies 4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies 4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 11040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.07 грн
10+157.82 грн
100+109.96 грн
500+84.01 грн
1000+83.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies 4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.91 грн
10+215.68 грн
100+154.36 грн
500+121.93 грн
1000+111.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 Infineon Technologies 4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.91 грн
66+215.68 грн
100+154.36 грн
500+121.93 грн
1000+111.11 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 INFINEON 4768064.pdf Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 11040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 DS_IPL60R210P6_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147914e48e3616b
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.07 грн
10+157.82 грн
100+109.96 грн
500+84.01 грн
1000+83.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+313.91 грн
10+215.68 грн
100+154.36 грн
500+121.93 грн
1000+111.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 4839933249809190ds_ipl60r210p6_2_0.pdffileid5546d4614755559a0147914e48e3616b.pdff.pdf
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+313.91 грн
66+215.68 грн
100+154.36 грн
500+121.93 грн
1000+111.11 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R210P6AUMA1 4768064.pdf
IPL60R210P6AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.