IPL60R225CFD7AUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 177.19 грн |
| 500+ | 159.47 грн |
| 1000+ | 147.66 грн |
| 10000+ | 126.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL60R225CFD7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm.
Інші пропозиції IPL60R225CFD7AUMA1 за ціною від 147.66 грн до 177.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPL60R225CFD7AUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPL60R225CFD7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPL60R225CFD7AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IPL60R225CFD7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IPL60R225CFD7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPL60R225CFD7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 177.19 грн |
| 500+ | 159.47 грн |
| 1000+ | 147.66 грн |
| IPL60R225CFD7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 177.19 грн |
| 500+ | 159.47 грн |
| 1000+ | 147.66 грн |
| IPL60R225CFD7AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPL60R225CFD7AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPL60R225CFD7AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)