Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R360P6SATMA1
IPL60R360P6SATMA1

IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies

233ds_ipl60r360p6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
370+95.90 грн
500+86.31 грн
1000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 89.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Інші пропозиції IPL60R360P6SATMA1 за ціною від 53.08 грн до 95.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies 233ds_ipl60r360p6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 21617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.90 грн
500+86.31 грн
1000+79.60 грн
10000+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies 233ds_ipl60r360p6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 147812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.90 грн
500+86.31 грн
1000+79.60 грн
10000+68.43 грн
100000+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies 233ds_ipl60r360p6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 43634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+95.90 грн
500+86.31 грн
1000+79.60 грн
10000+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 INFINEON INFNS30573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 INFINEON INFNS30573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 233ds_ipl60r360p6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 21617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
370+95.90 грн
500+86.31 грн
1000+79.60 грн
10000+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 233ds_ipl60r360p6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 147812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
370+95.90 грн
500+86.31 грн
1000+79.60 грн
10000+68.43 грн
100000+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 233ds_ipl60r360p6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
на замовлення 43634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
370+95.90 грн
500+86.31 грн
1000+79.60 грн
10000+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 INFNS30573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 INFNS30573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.