Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R360P6SATMA1
IPL60R360P6SATMA1

IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies

DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89.3W, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPL60R360P6SATMA1 за ціною від 41.37 грн до 180.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 INFINEON INFNS30573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.94 грн
250+78.45 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.17 грн
10+98.88 грн
100+67.16 грн
500+50.27 грн
1000+46.16 грн
2000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 Infineon Technologies DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.10 грн
10+105.37 грн
100+62.45 грн
500+49.48 грн
1000+44.40 грн
2500+43.63 грн
5000+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 INFINEON INFNS30573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.91 грн
50+115.94 грн
250+78.45 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 INFNS30573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+115.94 грн
250+78.45 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475e68ce13047c
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+160.17 грн
10+98.88 грн
100+67.16 грн
500+50.27 грн
1000+46.16 грн
2000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 DS_IPL60R360P6S_2_0.pdf
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.10 грн
10+105.37 грн
100+62.45 грн
500+49.48 грн
1000+44.40 грн
2500+43.63 грн
5000+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R360P6SATMA1 INFNS30573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R360P6SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89.3W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+180.91 грн
50+115.94 грн
250+78.45 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.