Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R385CPAUMA1
IPL60R385CPAUMA1

IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies

IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 52754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPL60R385CPAUMA1 за ціною від 82.14 грн до 218.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.90 грн
10+185.53 грн
25+179.63 грн
100+156.12 грн
250+138.98 грн
500+124.26 грн
1000+115.85 грн
3000+114.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+218.51 грн
62+199.80 грн
64+193.44 грн
100+168.13 грн
250+149.67 грн
500+133.82 грн
1000+124.76 грн
3000+123.47 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 IPL60R385CPAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL60R385CP_DS_v02_02_EN-3164710.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.