Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R385CPAUMA1
IPL60R385CPAUMA1

IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies

127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPL60R385CPAUMA1 за ціною від 86.26 грн до 208.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 34754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
231+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 231
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+193.61 грн
10+ 177.04 грн
25+ 171.4 грн
100+ 148.98 грн
250+ 132.61 грн
500+ 118.57 грн
1000+ 110.54 грн
3000+ 109.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+208.51 грн
62+ 190.66 грн
64+ 184.59 грн
100+ 160.44 грн
250+ 142.81 грн
500+ 127.69 грн
1000+ 119.05 грн
3000+ 117.82 грн
Мінімальне замовлення: 56
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
товар відсутній
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R385CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
товар відсутній
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товар відсутній
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товар відсутній
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL60R385CP_DS_v02_02_EN-3164710.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
товар відсутній
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R385CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній