IPL60R385CPAUMA1

IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies


IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
на замовлення 52754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPL60R385CPAUMA1 за ціною від 84.25 грн до 219.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.39 грн
10+185.98 грн
25+180.06 грн
100+156.50 грн
250+139.31 грн
500+124.56 грн
1000+116.12 грн
3000+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+219.04 грн
62+200.29 грн
64+193.91 грн
100+168.54 грн
250+150.03 грн
500+134.14 грн
1000+125.06 грн
3000+123.77 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943BF09687B1BF&compId=IPL60R385CP-DTE.pdf?ci_sign=2482a8efbae735912a57ce4d494599f7ef5a1ea3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 127786946713299dgdlfolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043284aacd.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin VSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL60R385CP_DS_v02_02_EN-3164710.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5943BF09687B1BF&compId=IPL60R385CP-DTE.pdf?ci_sign=2482a8efbae735912a57ce4d494599f7ef5a1ea3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
On-state resistance: 0.385Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.