Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL65R070C7AUMA1
IPL65R070C7AUMA1

IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies

4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+429.87 грн
10+392.72 грн
25+382.35 грн
100+358.60 грн
250+322.69 грн
500+300.81 грн
1000+291.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 169W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPL65R070C7AUMA1 за ціною від 256.88 грн до 652.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies 4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+429.87 грн
37+382.35 грн
100+358.60 грн
250+322.69 грн
500+300.81 грн
1000+291.92 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 INFINEON INFNS30022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+522.16 грн
50+439.05 грн
100+362.28 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies 4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+577.62 грн
26+552.80 грн
50+531.74 грн
100+495.35 грн
250+444.75 грн
500+415.34 грн
1000+405.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.59 грн
10+414.00 грн
100+304.96 грн
500+256.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 INFINEON INFNS30022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.08 грн
5+587.12 грн
10+522.16 грн
50+439.05 грн
100+362.28 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+429.87 грн
37+382.35 грн
100+358.60 грн
250+322.69 грн
500+300.81 грн
1000+291.92 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 INFNS30022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+522.16 грн
50+439.05 грн
100+362.28 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+577.62 грн
26+552.80 грн
50+531.74 грн
100+495.35 грн
250+444.75 грн
500+415.34 грн
1000+405.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+629.59 грн
10+414.00 грн
100+304.96 грн
500+256.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 INFNS30022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+652.08 грн
5+587.12 грн
10+522.16 грн
50+439.05 грн
100+362.28 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.