Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL65R070C7AUMA1
IPL65R070C7AUMA1

IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+259.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 169W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції IPL65R070C7AUMA1 за ціною від 287.24 грн до 631.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies 4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.50 грн
10+390.85 грн
25+380.93 грн
100+357.76 грн
250+322.40 грн
500+301.00 грн
1000+292.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies 4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+417.50 грн
37+390.85 грн
38+380.93 грн
100+357.76 грн
250+322.40 грн
500+301.00 грн
1000+292.57 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
на замовлення 9907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.40 грн
10+415.37 грн
100+306.33 грн
500+287.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 INFINEON INFNS30022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 169W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 INFINEON INFNS30022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 169W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+417.50 грн
10+390.85 грн
25+380.93 грн
100+357.76 грн
250+322.40 грн
500+301.00 грн
1000+292.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 4990813894683543ds_ipl65r070c7_2_0.pdffileid5546d46145da30e80145f091901e6b3dfolde.pdf
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+417.50 грн
37+390.85 грн
38+380.93 грн
100+357.76 грн
250+322.40 грн
500+301.00 грн
1000+292.57 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
на замовлення 9907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+631.40 грн
10+415.37 грн
100+306.33 грн
500+287.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 INFNS30022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 169W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 INFNS30022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 169W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.