Продукція > INFINEON > IPL65R095CFD7AUMA1
IPL65R095CFD7AUMA1

IPL65R095CFD7AUMA1 INFINEON

Infineon-IPL65R095CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6ba6ac52236
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 171W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+222.84 грн
500+176.38 грн
1000+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R095CFD7AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Verlustleistung Pd: 171W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 171W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.

Інші пропозиції IPL65R095CFD7AUMA1 за ціною від 150.83 грн до 524.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPL65R095CFD7AUMA1 IPL65R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl65r095cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
1000+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 IPL65R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R095CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6ba6ac52236 Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.34 грн
10+251.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 IPL65R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl65r095cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+384.21 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 IPL65R095CFD7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL65R095CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6ba6ac52236 Description: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.93 грн
10+290.27 грн
100+222.84 грн
500+176.38 грн
1000+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 IPL65R095CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL65R095CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.63 грн
10+338.81 грн
100+217.09 грн
500+192.42 грн
1000+171.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 infineonipl65r095cfd7datasheetv0200en.pdf
IPL65R095CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
135+262.83 грн
500+249.87 грн
1000+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R095CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6ba6ac52236
IPL65R095CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+343.34 грн
10+251.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 infineonipl65r095cfd7datasheetv0200en.pdf
IPL65R095CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+384.21 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R095CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca6ba6ac52236
IPL65R095CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+439.93 грн
10+290.27 грн
100+222.84 грн
500+176.38 грн
1000+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R095CFD7AUMA1 Infineon_IPL65R095CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPL65R095CFD7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+524.63 грн
10+338.81 грн
100+217.09 грн
500+192.42 грн
1000+171.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.