IPL65R130C7AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 151.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R130C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 102W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPL65R130C7AUMA1 за ціною від 136.56 грн до 391.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R130C7AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPL65R130C7AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPL65R130C7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 15A VSON-4 |
на замовлення 2563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPL65R130C7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V |
на замовлення 3088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPL65R130C7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPL65R130C7AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |