Продукція > INFINEON > IPL65R130CFD7AUMA1
IPL65R130CFD7AUMA1

IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON


Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+197.11 грн
500+147.07 грн
1000+126.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPL65R130CFD7AUMA1 за ціною від 126.16 грн до 423.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+358.94 грн
10+250.48 грн
100+197.11 грн
500+147.07 грн
1000+126.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL65R130CFD7_DataSheet_v02_00_EN-2885784.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.42 грн
10+278.84 грн
25+240.93 грн
100+184.92 грн
500+161.90 грн
1000+149.62 грн
3000+139.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl65r130cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.