IPL65R160CFD7AUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 98W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.132ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 143.08 грн |
| 500+ | 102.32 грн |
| 1000+ | 92.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R160CFD7AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Verlustleistung Pd: 98W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 98W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.132ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm.
Інші пропозиції IPL65R160CFD7AUMA1 за ціною від 92.33 грн до 308.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFEDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R160CFD7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 98W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R160CFD7AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPL65R160CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 216+ | 163.83 грн |
| 500+ | 154.40 грн |
| 1000+ | 146.15 грн |
| IPL65R160CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.53 грн |
| 10+ | 168.98 грн |
| 100+ | 118.63 грн |
| 500+ | 99.53 грн |
| IPL65R160CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 305.89 грн |
| 10+ | 199.82 грн |
| 100+ | 143.08 грн |
| 500+ | 102.32 грн |
| 1000+ | 92.33 грн |
| IPL65R160CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.36 грн |
| 10+ | 200.21 грн |
| 100+ | 122.64 грн |
| 500+ | 102.90 грн |
| 3000+ | 96.56 грн |





