Продукція > INFINEON > IPL65R160CFD7AUMA1

IPL65R160CFD7AUMA1 INFINEON


Infineon-IPL65R160CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca7319187233f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 98W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.132ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+143.08 грн
500+102.32 грн
1000+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R160CFD7AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Verlustleistung Pd: 98W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 98W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.132ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm.

Інші пропозиції IPL65R160CFD7AUMA1 за ціною від 92.33 грн до 308.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPL65R160CFD7AUMA1 IPL65R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies infineonipl65r160cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+154.40 грн
1000+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R160CFD7AUMA1 IPL65R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R160CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca7319187233f Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.53 грн
10+168.98 грн
100+118.63 грн
500+99.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R160CFD7AUMA1 IPL65R160CFD7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL65R160CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca7319187233f Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.89 грн
10+199.82 грн
100+143.08 грн
500+102.32 грн
1000+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R160CFD7AUMA1 IPL65R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL65R160CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.36 грн
10+200.21 грн
100+122.64 грн
500+102.90 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R160CFD7AUMA1 infineonipl65r160cfd7datasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
216+163.83 грн
500+154.40 грн
1000+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R160CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R160CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca7319187233f
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+254.53 грн
10+168.98 грн
100+118.63 грн
500+99.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R160CFD7AUMA1 Infineon-IPL65R160CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca7319187233f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+305.89 грн
10+199.82 грн
100+143.08 грн
500+102.32 грн
1000+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R160CFD7AUMA1 Infineon_IPL65R160CFD7_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+308.36 грн
10+200.21 грн
100+122.64 грн
500+102.90 грн
3000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.