Технічний опис IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: PG-VSON-4, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 21.3A, On-state resistance: 0.165Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 195W, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції IPL65R165CFDAUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R165CFDAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195W кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|
| IPL65R165CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 4VSON |
товару немає в наявності |
||
| IPL65R165CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |
||
|
|
IPL65R165CFDAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195W |
товару немає в наявності |