Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL65R195C7AUMA1
IPL65R195C7AUMA1

IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies

4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+139.32 грн
500+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPL65R195C7AUMA1 за ціною від 88.86 грн до 265.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies 4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.32 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R195C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f07420a26b18 Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.39 грн
10+163.59 грн
100+115.95 грн
500+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies 4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+265.40 грн
73+192.73 грн
100+146.78 грн
500+118.09 грн
3000+101.45 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL65R195C7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+139.32 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 Infineon-IPL65R195C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f07420a26b18
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.39 грн
10+163.59 грн
100+115.95 грн
500+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 4257848777734719infineon-ipl65r195c7-ds-v02_00-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+265.40 грн
73+192.73 грн
100+146.78 грн
500+118.09 грн
3000+101.45 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 Infineon_IPL65R195C7_DS_v02_01_EN.pdf
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 INFN-S-A0003614705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 INFN-S-A0003614705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.