IPL65R1K0C6SATMA1

IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies


DS_IPL65R1K0C6S_2_0-1225918.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 4.2A ThinPAK 5x6
на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.65 грн
10+147.21 грн
100+100.05 грн
500+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPL65R1K0C6SATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPL65R1K0C6SATMA1 IPL65R1K0C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 231ds_ipl65r1k0c6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K0C6SATMA1 IPL65R1K0C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPL65R1K0C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a0147592562350070 Description: MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.