IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 71852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 368+ | 58.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPL65R1K5C6SATMA1 за ціною від 36.06 грн до 106.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.5Ω Drain current: 3A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 26.6W Drain-source voltage: 650V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.5Ω Drain current: 3A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 26.6W Drain-source voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6 |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |