на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.36 грн |
| 10+ | 168.17 грн |
| 100+ | 101.30 грн |
| 500+ | 86.07 грн |
| 1000+ | 83.78 грн |
| 3000+ | 73.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R200CFD7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 81W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.162ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPL65R200CFD7AUMA1 за ціною від 174.30 грн до 252.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R200CFD7AUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPL65R200CFD7AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R200CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.162 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 81W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.162ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| IPL65R200CFD7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
IPL65R200CFD7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IPL65R200CFD7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |