IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.13 грн |
| 6000+ | 69.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 67W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm.
Інші пропозиції IPL65R230C7AUMA1 за ціною від 79.32 грн до 264.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 3171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 13697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V |
на замовлення 6837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 7246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 7246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 67W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 67W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 150.52 грн |
| 102000+ | 138.21 грн |
| 153000+ | 129.27 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 153.56 грн |
| 500+ | 138.21 грн |
| 1000+ | 127.58 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 153.56 грн |
| 500+ | 138.21 грн |
| 1000+ | 127.58 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 153.56 грн |
| 500+ | 138.21 грн |
| 1000+ | 127.58 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 13697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 153.56 грн |
| 500+ | 138.21 грн |
| 1000+ | 127.58 грн |
| 10000+ | 109.58 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 153.56 грн |
| 500+ | 138.21 грн |
| 1000+ | 127.58 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 153.56 грн |
| 500+ | 138.21 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 242.31 грн |
| 10+ | 151.89 грн |
| 100+ | 105.58 грн |
| 500+ | 80.52 грн |
| 1000+ | 79.32 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 264.37 грн |
| 10+ | 176.48 грн |
| 100+ | 123.31 грн |
| 500+ | 103.35 грн |
| 3000+ | 93.07 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 264.37 грн |
| 81+ | 176.48 грн |
| 115+ | 123.31 грн |
| 500+ | 103.35 грн |
| 3000+ | 93.07 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 67W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




