IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R230C7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPL65R230C7AUMA1 за ціною від 69.54 грн до 263.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 13697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 3171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V |
на замовлення 10354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 7246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 153.22 грн |
| 500+ | 137.90 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 153.22 грн |
| 500+ | 137.90 грн |
| 1000+ | 127.29 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 13697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 153.22 грн |
| 500+ | 137.90 грн |
| 1000+ | 127.29 грн |
| 10000+ | 109.33 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 153.22 грн |
| 500+ | 137.90 грн |
| 1000+ | 127.29 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 153.22 грн |
| 500+ | 137.90 грн |
| 1000+ | 127.29 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 231+ | 153.22 грн |
| 500+ | 137.90 грн |
| 1000+ | 127.29 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 155.25 грн |
| 96000+ | 141.86 грн |
| 144000+ | 132.00 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 10354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.37 грн |
| 10+ | 128.28 грн |
| 100+ | 88.70 грн |
| 500+ | 69.54 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 231.89 грн |
| 10+ | 139.79 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 250.52 грн |
| 84+ | 169.87 грн |
| 119+ | 119.84 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 263.65 грн |
| 81+ | 175.81 грн |
| 116+ | 122.77 грн |
| 500+ | 102.88 грн |
| 3000+ | 94.64 грн |
| IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPL65R230C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.204 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




