Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL65R310E6AUMA1

IPL65R310E6AUMA1 Infineon Technologies

4556385171114285infineon-ipl65r310e6-ds-v02_01-en.pdffolderiddb3a3043156fd5730115.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13.1A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+160.65 грн
500+144.11 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R310E6AUMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 13.1A, Power dissipation: 104W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.31Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції IPL65R310E6AUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPL65R310E6AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R310E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b16ec3b200bc Description: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1 IPL65R310E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R310E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1 Infineon-IPL65R310E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304344ae06150144b16ec3b200bc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 4VSON
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1 IPL65R310E6-DTE.pdf
IPL65R310E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.