
IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 8.3A, Power dissipation: 83.3W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.46Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPL65R460CFDAUMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IPL65R460CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IPL65R460CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPL65R460CFDAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.3A Power dissipation: 83.3W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |