IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 15192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.38 грн |
| 10+ | 106.82 грн |
| 100+ | 74.02 грн |
| 250+ | 68.14 грн |
| 500+ | 62.19 грн |
| 1000+ | 53.34 грн |
| 2500+ | 50.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPL65R650C6SATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R650C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IPL65R650C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |