Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPLK60R1K0PFD7ATMA1
IPLK60R1K0PFD7ATMA1

IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPLK60R1K0PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd791157e3d92 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.64 грн
10+91.65 грн
100+71.45 грн
500+55.40 грн
1000+43.73 грн
2000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPLK60R1K0PFD7ATMA1 за ціною від 64.81 грн до 131.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK60R1K0PFD7-DataSheet-v02_00-EN-1759673.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.32 грн
10+115.91 грн
100+78.72 грн
500+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K0PFD7ATMA1 IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK60R1K0PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd791157e3d92 Description: MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.