IPLK60R1K5PFD7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 34.62 грн |
| 500+ | 28.79 грн |
| 1000+ | 24.53 грн |
| 5000+ | 22.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPLK60R1K5PFD7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPLK60R1K5PFD7ATMA1 за ціною від 22.91 грн до 75.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPLK60R1K5PFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.69 грн |
| 20+ | 41.77 грн |
| 100+ | 34.62 грн |
| 500+ | 28.79 грн |
| 1000+ | 24.53 грн |
| 5000+ | 22.91 грн |
| IPLK60R1K5PFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_NEW
MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.73 грн |
| 10+ | 61.44 грн |
| 100+ | 41.58 грн |
| 500+ | 35.24 грн |
| 1000+ | 27.56 грн |
| 2500+ | 26.99 грн |
| 5000+ | 25.73 грн |



