| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.75 грн |
| 10+ | 63.89 грн |
| 100+ | 43.24 грн |
| 500+ | 36.65 грн |
| 1000+ | 28.66 грн |
| 2500+ | 28.07 грн |
| 5000+ | 26.75 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPLK60R1K5PFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPLK60R1K5PFD7ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPLK60R1K5PFD7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK60R1K5PFD7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPLK60R1K5PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.8 A, 1.5 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)