IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 82.56 грн |
| 500+ | 74.30 грн |
| 1000+ | 68.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 74W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm.
Інші пропозиції IPLK60R360PFD7ATMA1 за ціною від 51.15 грн до 156.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPLK60R360PFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 23366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPLK60R360PFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPLK60R360PFD7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPLK60R360PFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 74W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPLK60R360PFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 74W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPLK60R360PFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 23366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 82.56 грн |
| 500+ | 74.30 грн |
| 1000+ | 68.53 грн |
| 10000+ | 58.92 грн |
| IPLK60R360PFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 156.01 грн |
| 10+ | 105.69 грн |
| 100+ | 76.65 грн |
| 500+ | 58.16 грн |
| 1000+ | 51.15 грн |
| IPLK60R360PFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 156.01 грн |
| 134+ | 105.69 грн |
| 185+ | 76.65 грн |
| 500+ | 58.16 грн |
| 1000+ | 51.15 грн |
| IPLK60R360PFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK60R360PFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
Description: INFINEON - IPLK60R360PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.303 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




