IPLK60R600PFD7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.26 грн |
| 10+ | 83.28 грн |
| 100+ | 63.54 грн |
| 500+ | 50.19 грн |
| 1000+ | 40.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPLK60R600PFD7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPLK60R600PFD7ATMA1 за ціною від 32.81 грн до 140.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPLK60R600PFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
на замовлення 4968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPLK60R600PFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPLK60R600PFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP004748882 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPLK60R600PFD7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |