Продукція > INFINEON > IPLK70R1K2P7ATMA1
IPLK70R1K2P7ATMA1

IPLK70R1K2P7ATMA1 INFINEON

Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.17 грн
500+30.24 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPLK70R1K2P7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 25.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25.5W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPLK70R1K2P7ATMA1 за ціною від 25.05 грн до 93.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPLK70R1K2P7ATMA1 IPLK70R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.02 грн
15+55.27 грн
100+42.17 грн
500+30.24 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPLK70R1K2P7_DataSheet_v02_00_EN-3164737.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.97 грн
10+82.37 грн
100+55.80 грн
500+44.34 грн
1000+35.70 грн
5000+33.24 грн
10000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a SP001821758
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1 IPLK70R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1 IPLK70R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.