Продукція > INFINEON > IPLK70R600P7ATMA1
IPLK70R600P7ATMA1

IPLK70R600P7ATMA1 INFINEON

3629114.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.93 грн
500+28.65 грн
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPLK70R600P7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46.3W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPLK70R600P7ATMA1 за ціною від 26.38 грн до 31.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPLK70R600P7ATMA1 IPLK70R600P7ATMA1 Виробник : INFINEON 3629114.pdf Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.75 грн
27+31.02 грн
100+30.93 грн
500+28.65 грн
1000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iplk70r600p7-datasheet-v02_00-en.pdf SP001813340
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1 IPLK70R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK70R600P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198877d16b73 Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1 IPLK70R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK70R600P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198877d16b73 Description: MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1 IPLK70R600P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPLK70R600P7_DataSheet_v02_00_EN-3362850.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.