Продукція > INFINEON > IPLK70R750P7ATMA1
IPLK70R750P7ATMA1

IPLK70R750P7ATMA1 INFINEON

Infineon-IPLK70R750P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671988874c6b76
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+39.63 грн
500+29.09 грн
1000+24.18 грн
5000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPLK70R750P7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36.8W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPLK70R750P7ATMA1 за ціною від 21.36 грн до 95.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPLK70R750P7ATMA1 IPLK70R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPLK70R750P7_DataSheet_v02_00_EN-3362560.pdf MOSFETs N
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.82 грн
10+66.71 грн
100+45.18 грн
500+38.27 грн
1000+31.22 грн
2500+29.39 грн
5000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1 IPLK70R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPLK70R750P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671988874c6b76 Description: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
14+59.78 грн
100+39.63 грн
500+29.09 грн
1000+24.18 грн
5000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1 Infineon_IPLK70R750P7_DataSheet_v02_00_EN-3362560.pdf
IPLK70R750P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+81.82 грн
10+66.71 грн
100+45.18 грн
500+38.27 грн
1000+31.22 грн
2500+29.39 грн
5000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R750P7ATMA1 Infineon-IPLK70R750P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671988874c6b76
IPLK70R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.7 A, 0.62 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.39 грн
14+59.78 грн
100+39.63 грн
500+29.09 грн
1000+24.18 грн
5000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.