Продукція > INFINEON > IPLK80R750P7ATMA1
IPLK80R750P7ATMA1

IPLK80R750P7ATMA1 INFINEON

Infineon-IPLK80R750P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1e37f02ed Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPLK80R750P7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 57W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPLK80R750P7ATMA1 за ціною від 34.66 грн до 158.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPLK80R750P7ATMA1 IPLK80R750P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPLK80R750P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1e37f02ed Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1 IPLK80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R750P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1e37f02ed Description: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.37 грн
10+97.55 грн
100+66.04 грн
500+49.31 грн
1000+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R750P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1e37f02ed SP001821770
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1 IPLK80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R750P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1e37f02ed Description: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPLK80R750P7_DataSheet_v02_01_EN-3164803.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.