IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPN50R1K4CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac894e25aa7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.25 грн
6000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPN50R1K4CEATMA1 за ціною від 10.08 грн до 56.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN50R1K4CEATMA1 IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN50R1K4CE_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.36 грн
12+29.42 грн
100+17.20 грн
500+13.67 грн
1000+12.26 грн
3000+10.85 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1 IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN50R1K4CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac894e25aa7 Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 7732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.30 грн
10+33.60 грн
100+21.66 грн
500+15.51 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1 Infineon_IPN50R1K4CE_DS_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.36 грн
12+29.42 грн
100+17.20 грн
500+13.67 грн
1000+12.26 грн
3000+10.85 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1 Infineon-IPN50R1K4CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac894e25aa7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 7732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.30 грн
10+33.60 грн
100+21.66 грн
500+15.51 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.