Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN50R2K0CEATMA1
IPN50R2K0CEATMA1

IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies

1320infineon-ipn50r2k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN50R2K0CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm.

Інші пропозиції IPN50R2K0CEATMA1 за ціною від 9.06 грн до 39.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1320infineon-ipn50r2k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1320infineon-ipn50r2k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1320infineon-ipn50r2k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.89 грн
500+ 15.95 грн
1000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1320infineon-ipn50r2k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
373+31.35 грн
408+ 28.67 грн
409+ 28.57 грн
503+ 22.39 грн
1000+ 19.4 грн
Мінімальне замовлення: 373
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.42 грн
11+ 27.05 грн
100+ 18.77 грн
500+ 13.76 грн
1000+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN50R2K0CE_DS_v02_01_EN-1731868.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.43 грн
11+ 29.71 грн
100+ 18.05 грн
500+ 14.18 грн
1000+ 11.52 грн
3000+ 9.59 грн
9000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.07 грн
23+ 32.65 грн
100+ 21.89 грн
500+ 15.95 грн
1000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN50R2K0CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1320infineon-ipn50r2k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1320infineon-ipn50r2k0ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1 IPN50R2K0CEATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN50R2K0CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній