Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN50R800CEATMA1
IPN50R800CEATMA1

IPN50R800CEATMA1 Infineon Technologies

1317infineon-ipn50r800ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN50R800CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPN50R800CEATMA1 за ціною від 15.23 грн до 63.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.04 грн
6000+16.45 грн
9000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.90 грн
500+20.03 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.04 грн
12+34.04 грн
25+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.69 грн
10+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.25 грн
7+42.42 грн
25+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN50R800CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae426895b03 Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.87 грн
24+36.92 грн
100+28.90 грн
500+20.03 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1317infineon-ipn50r800ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+59.24 грн
14+53.01 грн
25+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN50R800CE_DS_v02_01_EN-3164763.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.31 грн
10+54.72 грн
100+36.48 грн
500+28.88 грн
1000+23.11 грн
3000+20.90 грн
6000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1317infineon-ipn50r800ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1317infineon-ipn50r800ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.