IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPN50R950CE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
на замовлення 1999 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+28.60 грн
25+24.01 грн
100+21.21 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPN50R950CEATMA1 за ціною від 11.77 грн до 44.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN50R950CE_DS_v02_01_EN-1731851.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.32 грн
10+32.58 грн
100+20.58 грн
500+16.21 грн
1000+14.10 грн
3000+12.62 грн
9000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00 Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
10+36.12 грн
100+25.12 грн
500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 Infineon_IPN50R950CE_DS_v02_01_EN-1731851.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.32 грн
10+32.58 грн
100+20.58 грн
500+16.21 грн
1000+14.10 грн
3000+12.62 грн
9000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 Infineon-IPN50R950CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ae41e225b00
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.40 грн
10+36.12 грн
100+25.12 грн
500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.