Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R1K0CEATMA1

IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aed24095b21
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.74 грн
6000+14.84 грн
9000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPN60R1K0CEATMA1 за ціною від 17.51 грн до 68.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.46 грн
6000+22.06 грн
15000+21.33 грн
30000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.81 грн
6000+24.27 грн
15000+23.47 грн
30000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.85 грн
17+46.76 грн
25+46.30 грн
100+37.73 грн
250+34.78 грн
500+27.93 грн
1000+23.33 грн
3000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aed24095b21 Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.51 грн
10+41.29 грн
100+26.85 грн
500+19.38 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN60R1K0CE_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 IPN60R1K0CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.46 грн
6000+22.06 грн
15000+21.33 грн
30000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.81 грн
6000+24.27 грн
15000+23.47 грн
30000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.85 грн
17+46.76 грн
25+46.30 грн
100+37.73 грн
250+34.78 грн
500+27.93 грн
1000+23.33 грн
3000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 6756infineon-ipn60r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
277+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon-IPN60R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aed24095b21
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.51 грн
10+41.29 грн
100+26.85 грн
500+19.38 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 INFN-S-A0002456542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon_IPN60R1K0CE_DS_v02_00_EN.pdf
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1 INFN-S-A0002456542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R1K0CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.