Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN60R1K5CEATMA1
IPN60R1K5CEATMA1

IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPN60R1K5CEATMA1 за ціною від 12.60 грн до 50.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.04 грн
6000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+25.66 грн
610+23.07 грн
616+22.84 грн
678+19.99 грн
1000+16.56 грн
3000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.50 грн
29+26.35 грн
30+25.66 грн
100+22.24 грн
250+20.40 грн
500+17.77 грн
1000+15.90 грн
3000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.80 грн
10+30.32 грн
100+19.58 грн
500+14.01 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN60R1K5CE_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.04 грн
6000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.08 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
622+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
548+25.66 грн
610+23.07 грн
616+22.84 грн
678+19.99 грн
1000+16.56 грн
3000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.50 грн
29+26.35 грн
30+25.66 грн
100+22.24 грн
250+20.40 грн
500+17.77 грн
1000+15.90 грн
3000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.80 грн
10+30.32 грн
100+19.58 грн
500+14.01 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon_IPN60R1K5CE_DS_v02_00_EN.pdf
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1 INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN60R1K5CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.