IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPN60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22827e126756
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.64 грн
6000+12.97 грн
9000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPN60R2K0PFD7SATMA1 за ціною від 11.21 грн до 68.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN60R2K0PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-1840690.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.90 грн
10+35.99 грн
100+21.36 грн
500+17.27 грн
1000+15.58 грн
3000+11.42 грн
6000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22827e126756 Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 13562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.16 грн
100+26.75 грн
500+19.27 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon_IPN60R2K0PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-1840690.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.90 грн
10+35.99 грн
100+21.36 грн
500+17.27 грн
1000+15.58 грн
3000+11.42 грн
6000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22827e126756
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 13562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.98 грн
10+41.16 грн
100+26.75 грн
500+19.27 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.